Schnell und Strom sparend

Sie basiert laut de.intern.com auf einer modifizierten Silizium-Germanium-Technologie (SiGe), die Schaltgeschwindigkeiten von bis zu 350 GHz ermöglicht. Gegenüber bisherigen Transistoren ist dies eine dreifache Steigerung. Chips, die mit der IBM-Technologie fabriziert werden, sollen gar viermal höhere Taktraten erreichen und Daten mit mehreren hundert Gbit/s transportieren. Ausserdem würden sie 90 Prozent weniger Strom verbrauchen. Erste Produkte, welche die neuen Transistoren verwenden, werden für 2005/2006 erwartet.