Smartphones der Zukunft mit 1 TB Speicher an Bord

Vielleicht werden wir in naher Zukunft darüber lachen, zerbrechen wir uns doch dieser Tage beim Smartphone-Kauf noch über interne Flash-Speichermodule von ein paar Gigabytes den Kopf. Wissenschaftlern an der Rice-Universität in Houston (Texas) ist angeblich ein Durchbruch beim Herstellungsverfahren von resistivem RAM-Speicher (RRAM) gelungen.

RRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die schon seit den 1990ern entwickelt wird. Im Gegensatz zu flüchtigem Speicher wird beim «resistiven» RAM die Leitfähigkeit der Materialien ausgenutzt. Durch Anlegen einer Spannung kann der spezifische Widerstand dieser Materialien zwischen guter und schlechter Leitfähigkeit geändert werden. Normaler RAM-Speicher ist ein flüchtiger Speicher und verliert unmittelbar nach Abschalten der Versorgungsspannung seinen Speicherinhalt.

Aufgrund der wesentlich kürzeren Schaltzyklen soll RRAM die Geschwindigkeit bisheriger Flash-Laufwerke um das Hundertfache übertreffen. Als alternativer Arbeitsspeicher hätte RRAM aufgrund seiner Geschwindigkeit eigentlich faszinierende Vorteile. So wäre etwa ein PC nach einem Neustart blitzschnell betriebsbereit, weil Informationen gespeichert bleiben. Bis anhin fand RRAM aufgrund des hohen Preises vorwiegend in industriellen Systemen Verwendung.

Den Wissenschaftlern in Houston ist es nun erstmals gelungen, RRAM auf Basis eines porösen Siliziumoxids bei Zimmertemperatur und mit viel weniger Stromverbrauch herzustellen. Das poröse Silizium benötige für die Leitungsbahnen weniger als zwei Volt Spannung, was laut den Forschern einer 13-fachen Verbesserung bisheriger RRAM-Technologien enspräche.

Mit dem effizienteren Herstellungsverfahren könnte nun ein erster Schritt in Richtung Massenproduktion geebnet sein. Theoretisch möglich wären RRAM-Chips in der Grösse einzelner Briefmarken mit Kapazitäten von bis zu 1 TB. Ein paar Jahre Entwicklungszeit werden wohl dennoch vonnöten sein.