Intel «streckt» Silizium

Die Prozessoren der kommenden Generation sollen mit so genanntem "strained" (gestrecktem) Silizium produziert werden. Dieses verbessere den Durchfluss von Strom um ein Mehrfaches. Dadurch sollen laut IBM - Entdeckerin der Technologie - um 35 Prozent schnellere Taktfrequenzen möglich sein. Zudem werden bei den neuen Chips die dünnsten, jemals in einem Produktionsprozess hergestellten Isolierschichten, eingesetzt.