Toshiba und NEC: Fortschritt in der Entwicklung von MRAM-Speicher

Toshiba und NEC melden, dass sie wichtige Schlüsseltechnologien für MRAM-Speicher entwickelt haben [1]. Es sei ihnen gelungen, durch ein neues Speicherzellendesign den Energieverbrauch während dem Schreiben von Daten zu halbieren und die Schreibfehlerrate zu minimieren. Eine neue Architektur erleichtere darüber hinaus die Herstellung von hochdichten MRAM-Produkten.

Im Gegensatz zu herkömmlichem RAM verwendet MRAM (Magnetic Random Access Memory) Magnettechnologie zum Speichern der Daten. RAM arbeitet hingegen rein elektronisch. MRAM ist in der Lage, Informationen analog zur Festplatte permanent zu sichern. Der langwierige Bootvorgang entfällt damit. Zudem erlaubt MRAM höhere Speicherdichten und eine bessere Produkthaltbarkeit.