3D-Nand-Flash: Intel und Micron wollen SSD-Kapazität drastisch erhöhen

Boise/Santa Clara (awp international) - Mehr als 10 Terabyte an Daten sollen 2,5-Zoll-SSDs speichern können, die Intel gemeinsam mit dem US-Unternehmen Micron Technology entwickelt. Bis dato war bei ungefähr 3 Terabyte Schluss.

Für die erhöhte Kapazität haben die Unternehmen die Speicherzellen in dreidimensionaler Architektur angeordnet. Im herkömmlichen Produktionsverfahren von Flash-Speichern seien die physikalischen Grenzen nahezu ausgereizt, teilte Intel am Donnerstag (Ortszeit) mit.

Die neue Technologie namens «3D-Nand» solle einen «dramatischen Einfluss» darauf haben, künftig Flash-Laufwerke mit mehr Leistung bei geringeren Kosten produzieren zu können, heisst es bei Intel. Und das auf kleinstem Raum. Ein kaugummistreifengrosses Laufwerk solle demnach rund 3,5 Terabyte an Daten fassen können. Samsung hatte bereits im vergangenen Jahr erste 3D-Flash-Chips auf den Markt gebracht. Intels und Microns Verfahren solle laut den Unternehmen die dreifache Leistung bringen.

Die einzelnen Speicherzellen von Flash-Speichern etwa in Laptops werden normalerweise nebeneinander positioniert. Indem die Forscher die Zellen nun übereinander in 32 Lagen anordnen, könnten auch die Zellen deutlich grösser sein, wie Intel mitteilte. So soll sowohl Leistung als auch Ausdauer der Speicher erhöht werden. Die neuen Speicher seien auch für den Einsatz in Datenzentren geeignet. Die Produktion der Speicher habe bereits begonnen, im vierten Quartal sollen sie serienreif sein. /gri/DP/fbr